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SK Hynix bringt 300-Layer-3D-NAND-Chips der 8. Generation in den nächsten zwei Jahren auf den Markt
Während der 70. IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) im Februar überraschte SK Hynix die Teilnehmer mit Einzelheiten zu den neuen 3D-NAND-Chips der achten Generation, die über dreihundert aktive Schichten enthalten. Das auf der Konferenz präsentierte Papier von SK Hynix mit dem Titel „High-Density-Speicher und High-Speed-Schnittstelle“, beschreibt, wie das Unternehmen die Leistung von Solid-State-Laufwerken steigern und gleichzeitig die Kosten für einzelne Terabyte senken wird. Das neue 3D-NAND wird innerhalb von zwei Jahren auf den Markt kommen und soll Rekorde brechen.
SK Hynix enthüllt die Entwicklung des 3D-NAND-Speichers der 8. Generation mit schnellerem Datendurchsatz und höheren Speicherebenen
Der neue 3D-NAND-Speicher der achten Generation wird eine Speicherkapazität von 1 TB (128 GB) bieten und Triple-Level-Zellen, eine Bitdichte von 20 Gb/mm², eine Seitengröße von 16 KB, vier Ebenen und eine Schnittstelle mit 2400 MT/s darstellen. Der maximale Datendurchsatz wird 194 MB/s erreichen – achtzehn Prozent mehr als beim vorherigen 3D-NAND der siebten Generation mit 238 Schichten und Raten von 164 MB/s. Die beschleunigte Ein- und Ausgabe unterstützt den Datendurchsatz und hilft bei der PCIe 5.0 x4- oder höheren Schnittstellenauslastung.
Die Forschungs- und Entwicklungsteams des Unternehmens untersuchten fünf Bereiche, die in die neue 3D-NAND-Technologie der achten Generation implementiert werden sollten:
- Triple-Verify Program (TPGM)-Funktion, die die Zellschwellenspannungsverteilung eingrenzt und die tPROG (Programmzeit) um 10 % reduziert, was sich in einer höheren Leistung niederschlägt
- Adaptives unselektiertes String Pre-Charge (AUSP) – ein weiteres Verfahren zur Reduzierung von tPROG um ca. 2 %
- All-Pass Rising (APR)-Schema, das die tR (Lesezeit) um ungefähr 2 % reduziert und die Anstiegszeit der Wortleitung verkürzt
- Programmierte Dummy-String (PDS)-Technik, die die Weltleitungs-Einschwingzeit für tPROG und tR verkürzt, indem die Kanalkapazitätslast reduziert wird
- Plane-Level Read Retry (PLRR)-Fähigkeit, die es ermöglicht, die Leseebene einer Ebene zu ändern, ohne andere zu beenden, wodurch nachfolgende Lesebefehle sofort ausgegeben und die Dienstqualität (QoS) und damit die Leseleistung verbessert werden
Da sich das neue Produkt von SK Hynix noch in der Entwicklung befindet, ist nicht bekannt, wann SK Hynix mit der Produktion beginnen wird. Mit der Ankündigung auf der ISSCC 2023-Konferenz könnte spekuliert werden, dass das Unternehmen dem Start der Massen- oder Teilproduktion mit Partnern viel näher ist, als die Öffentlichkeit glaubt.
Das Unternehmen hat keinen Zeitplan für die Produktion der neuesten Generation von 3D-NAND bekannt gegeben. Dennoch rechnen Analysten frühestens im Jahr 2024 mit einer Bewegung des Unternehmens, spätestens im Folgejahr. Die einzigen Probleme, die die Entwicklung stoppen würden, wären, wenn Ressourcen in großem Umfang nicht verfügbar wären, was die gesamte Produktion im gesamten Unternehmen und in anderen zum Stillstand bringen würde.
Nachrichtenquellen: Toms Hardware, TechPowerUp, Blöcke und Dateien
