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Samsung V-NAND der 9. Generation mit 290 Schichten kommt nächsten Monat auf den Markt, 430-Schichten-NAND der 10. Generation im Jahr 2025

Samsung V-NAND der 9. Generation mit 290 Schichten kommt nächsten Monat auf den Markt, 430-Schichten-NAND der 10. Generation im Jahr 2025

Samsung plant, die NAND-Flash-Branche auf ein neues Niveau zu heben, indem das Unternehmen seine V-NAND-Lösungen der 9. und 10. Generation mit bis zu 430 Schichten vorstellt.

Samsung stellt NAND-Flash-Speicher mit bis zu 430 Schichten als Teil seiner V-NAND-Technologie der 10. Generation her, die nächstes Jahr auf den Markt kommt

Die NAND-Flash-Märkte erholten sich dank der schwächeren Verbrauchernachfrage und hohen Lagerbeständen in den letzten Quartalen in Folge schnell von ihrer schlechten wirtschaftlichen Lage. Doch jetzt, wo wir es durchgesehen haben, scheint es, als ob die Innovationsebene eingesetzt hat, und es ist kein Geringerer als Samsung, der einen relativ hochwertigen NAND-Typ namens V-NAND-Flash der 9. Generation vorgestellt hat. Dieser Typ verfügt über satte 290 übereinander gestapelte Schichten und setzt damit einen neuen Maßstab für die Märkte.

Koreanische Medien berichten, dass Samsung bis nächsten Monat die Veröffentlichung seines NAND-Standards der 9. Generation plant, der wahrscheinlich die Vorgängergeneration ablösen wird, die über 236 Stapelschichten verfügte. Es scheint, dass die Branche wahrscheinlich in den Wettlauf um das „Layer-Stacking“ hineingezogen wird, und Samsung scheint Konkurrenten wie SK Hynix und Kioxia bei weitem voraus zu sein. Interessanterweise kündigte der koreanische Riese auch ein NAND-Produkt mit einem schockierenden 430-Lagen-Stacking (V-NAND der 10. Generation) an, das voraussichtlich nächstes Jahr auf den Markt kommt.

Ein weiterer spannender Aspekt des neuesten NAND-Prozesses der 9. Generation von Samsung ist die „Double-Stacking“-Technik, bei der es darum geht, mehr Schichten durch mehrere Kanallöcher zu quetschen. Diese Technik nutzt Elektrizität, um einzelne Zellen zu verbinden. Die Bohrtechnik sorgt nicht nur für eine höhere Verbindungseffizienz, sondern dieser Prozess ist im Vergleich zu herkömmlichen Stapelmethoden auch deutlich kostengünstiger.

Die Nutzung von NAND-Produkten hat in den letzten Monaten radikal zugenommen, was hauptsächlich auf die Verwendung von Produkten zurückzuführen ist, die an der KI-Inferenz beteiligt sind, da sie Tonnen von Hochgeschwindigkeitsspeicher erfordern. Letztendlich hat dies zu einer enormen Nachfrage in der Zukunft geführt, die die Entwicklungen in diesem Segment für NAND-Flash-Hersteller wie Samsung vorantreiben wird.

Nachrichtenquelle: Hankyung

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